Компания Western Digital объявила о разработке флэш-памяти типа 3D NAND X4. Эта 64-слойная память BiCS3 с объемной компоновкой может хранить в каждой ячейке четыре бита. Чтобы хранить в одной ячейке четыре бита, необходимо распознавать шестнадцать уровней заряда. Создать новую флэш-память позволил опыт реализации архитектуры X4 в памяти 2D NAND.
Использование технологии BiCS3 X4 дает возможность изготавливать микросхемы плотностью 768 Гбит, что на 50% больше плотности подобных микросхем BiCS3 X3, равной 512 Гбит.
По словам производителя, который намерен показать изделия на базе новой памяти на августовском мероприятии Flash Memory Summit, архитектура X4 будет использоваться и в следующих поколениях флэш-памяти с объемной компоновкой. Ближайшим из них станет BiCS4 с 96 слоями ячеек.