Немецкая компания Qimonda — один из крупнейших производителей чипов памяти, имеет на сегодняшний день, пожалуй, самую широкую линейку этого типа продукции, включая и память для мобильных устройств, и весь спектр оперативной памяти для компьютеров, и видеопамять. Последняя, кстати, — вплоть до GDDR5, причем в официальном списке значатся уже две модели таких чипов — емкостью 512 и 1024 мегабита, а в графе готовности к поставкам стоит характерное «под заказ», и мы, конечно, знаем, для чего в настоящее время используются такие чипы.
Однако конечной продукцией, которая могла бы заинтересовать не только отраслевых потребителей, но и широкие пользовательские массы, являются не чипы памяти, а модули, процесс изготовления которых гораздо проще с технической точки зрения, но, тем не менее, не лишен своих особенностей. Именно поэтому под маркой производителей чипов (это равно касается не только Qimonda, но и Samsung, и Hynix), как правило, продаются лишь непритязательные внешне изделия, способные работать на штатных частотах, причем стабильно и надежно, но представляющие крайне ограниченный интерес в качестве объекта исследования. Мы, однако, решили познакомиться с именно такой парой модулей от Qimonda суммарным объемом 8 ГБ, и, собственно, выяснить: насколько сильно повлияет на скоростные характеристики увеличение плотности микросхем в сочетании с двухбанковой организацией модуля.
Рассуждать на тему: нужен ли кому-то, и зачем столь большой объем памяти, в рамках этой статьи мы не будем. Но если не касаться профессиональных запросов, для которых вполне может быть необходим и больший объем, а ограничиться исключительно впечатлениями «простого пользователя», не интересующегося даже результатами тестов, а лишь собственными ощущениями. То в таком случае, разительно бросающимся в глаза отличием, по сравнению с 4-гигабайтным объемом, является значительно сокращающееся время переключения между приложениями. Например, переключение из любой современной игры в интернет-браузер вместо десятков секунд занимает всего несколько секунд. Это, как минимум, приятно, а насколько необходимо, и стоит ли за это каким-либо образом платить (сами модули дороже, имеют менее высокие характеристики в разгоне по сравнению с распространенными модулями меньшего объема, также необходима установка 64-битной ОС) — решать пользователю. Информация о производителе модуля
Производитель модуля: Qimonda AG
Производитель микросхем модуля: Qimonda AG
Сайт производителя модуля: www.qimonda.ru/Внешний вид модуля
Руководство по расшифровке Part Number модулей памяти имеется в брошюре на сайте, где также перечислено большинство выпускаемых на данный момент модулей и описание характеристик. Впрочем, именно таких модулей, какие оказались в нашем распоряжении, в списке не оказалось (есть такие же 4-гигабайтные с поддержкой ECC, тогда как наши модули коррекцию ошибок не поддерживают).
Модули объемом 4 ГБ основаны на 16 микросхемах в BGA-упаковке в конфигурации 512M x 64. Производитель гарантирует стабильную работу модулей в режиме DDR2-800 при таймингах 5-5-5 (значение RAS в описании не упомянуто, а по SPD равно 18) и питающем напряжении 1,8 В, этот режим и выбран в микросхеме SPD в качестве режима по умолчанию. Продаются модули в OEM-варианте поставки, соответственно, никакого отбора и объединения в 2-канальные комплекты производитель не предлагает. Данные микросхемы SPD модуля
Описание общего стандарта SPD:
Описание специфического стандарта SPD для DDR2:
| Параметр | Байт | Значение | Расшифровка |
| Фундаментальный тип памяти | 2 | 08h | DDR2 SDRAM |
| Общее количество адресных линий строки модуля | 3 | 0Fh | 15 (RA0-RA14) |
| Общее количество адресных линий столбца модуля | 4 | 0Ah | 10 (CA0-CA9) |
| Общее количество физических банков модуля памяти | 5 | 61h | 2 физических банка |
| Внешняя шина данных модуля памяти | 6 | 40h | 64 бит |
| Уровень питающего напряжения | 8 | 05h | SSTL 1.8V |
| Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при максимальной задержке CAS# (CL X) | 9 | 25h | 2.50 нс (400 МГц) |
| Тип конфигурации модуля | 11 | 00h | Non-ECC |
| Тип и способ регенерации данных | 12 | 82h | Очевидно, «имелось в виду» 82h, что соответствует значению 7.8125 мс — 0.5x сокращенная саморегенерация |
| Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти | 13 | 08h | x8 |
| Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти ECC-модуля | 14 | 00h | Не определено |
| Длительность передаваемых пакетов (BL) | 16 | 0Ch | BL = 4, 8 |
| Количество логических банков каждой микросхемы в модуле | 17 | 08h | 8 |
| Поддерживаемые длительности задержки CAS# (CL) | 18 | 70h | CL = 6, 5, 4 |
| Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-1) | 23 | 25h | 2,5 нс (400 МГц) |
| Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-2) | 25 | 3Dh | 3.75 нс (266.7 МГц) |
| Минимальное время подзарядки данных в строке (tRP) | 27 | 32h | 12.5 нс 5, CL = 6 5, CL = 5 3.33, CL = 4 |
| Минимальная задержка между активизацией соседних строк (tRRD) | 28 | 1Eh | 7.5 нс 3, CL = 6 3, CL = 5 2 CL = 4 |
| Минимальная задержка между RAS# и CAS# (tRCD) | 29 | 32h | 12.5 нс 5, CL = 6 5, CL = 5 3.33, CL = 4 |
| Минимальная длительность импульса сигнала RAS# (tRAS) | 30 | 2Dh | 45.0 нс 18, CL = 6 18, CL = 5 12, CL = 4 |
| Емкость одного физического банка модуля памяти | 31 | 02h | 2048 МБ |
| Период восстановления после записи (tWR) | 36 | 3Ch | 15.0 нс 6, CL = 6 6, CL = 5 4, CL = 4 |
| Внутренняя задержка между командами WRITE и READ (tWTR) | 37 | 1Eh | 7.5 нс 3, CL = 6 3, CL = 5 2, CL = 4 |
| Внутренняя задержка между командами READ и PRECHARGE (tRTP) | 38 | 1Eh | 7.5 нс 3, CL = 6 3, CL = 5 2, CL = 4 |
| Минимальное время цикла строки (tRC) | 41, 40 | 39h, 30h | 57.5 нс 23, CL = 6 23, CL = 5 15.3, CL = 4 |
| Период между командами саморегенерации (tRFC) | 42, 40 | C3h, 30h | 195.0 нс 78, CL = 6 78, CL = 5 20.8, CL = 4 |
| Максимальная длительность периода синхросигнала (tCKmax) | 43 | 80h | 8.0 нс |
| Номер ревизии SPD | 62 | 12h | Ревизия 1.2 |
| Идентификационный код производителя по JEDEC | 64-71 | 7Fh, 00h | Qimonda |
| Part Number модуля | 73-90 | — | 64T512020EU25FA |
| Дата изготовления модуля | 93-94 | 07h, 48h | 2007 год, 48 неделя |
| Серийный номер модуля | 95-98 | 1Ah, 02h, 9Ch, 14h | 1A029C14h |
В SPD поддерживаются три значения задержки сигнала CAS# — 6, 5 и 4. Первому и второму (CL X = 6 и 5) соответствует режим функционирования DDR2-800 (время цикла 2.5 нс, частота 400 МГц) с идентичной схемой остальных таймингов 5-5-18 (ровно), третьему значению задержки сигнала CAS# (CL X-1 = 4) соответствует режим DDR2-533 (время цикла 3,75 нс, частота 266,7 МГц) с нестандартной схемой таймингов 4-3,33-3,33-12, которую BIOS большинства плат будет интерпретировать как 4-4-4-12.
Номер ревизии SPD и идентификационный код производителя указаны верно, Part Number соответствуют указанному на самих модулях, а серийный номер отличается от приведенного на стикере.
Поддержка расширений SPD стандарта EPP в рассматриваемых модулях не предусмотрена.Конфигурация тестового стенда
- процессор: AMD Phenom 9750 (Socket AM2+), 2,4 ГГц (200x12), степпинг B3;
- чипсет: AMD 790FX;
- материнская плата: ASUS M3A32-MVP Deluxe, версия BIOS 1201;
- ОС: Windows XP SP2 x64.
В качестве штатного режима мы использовали рекомендованный производителем и наиболее логичный из сохраненных в SPD (DDR2-800 с таймингами 5-5-5-18). Испытания проводились в двух режимах контроллера памяти в процессоре Phenom: ganged (обеспечивающий более высокую производительность в режиме однопоточного доступа) и unganged (предпочтительный для многопоточных приложений, интенсивно обращающихся к памяти). Не преминули мы проверить и разгонный потенциал, хотя ожидать особых талантов в этой области от модулей высокой емкости вряд ли разумно.
| Qimonda DDR2-800 2x4096МБ (HYS64T512020EU-25F-A) | Apacer Giant DDR2-1066 2x2048МБ | |||||||
| Режим контроллера памяти | Ganged | Unganged | Ganged | Unganged | Ganged | Unganged | ||
| Частота памяти, МГц (DDR2 МГц) | 400 (800) | 400 (800) | 456 (912) | 460 (920) | 400 (800) | 400 (800) | ||
| Частота ядер процессора, МГц (DDR2 МГц) | 2400 (200x12) | 2400 (200x12) | 2736 (228x12) | 2760 (230x12) | 2400 (200x12) | 2400 (200x12) | ||
| Частота контроллера памяти в процессоре, МГц (DDR2 МГц) | 2000 (200x10) | 2000 (200x10) | 2280 (228x10) | 2300 (230x10) | 2000 (200x10) | 2000 (200x10) | ||
| Тайминги памяти по умолчанию, напряжение | 5-5-5-18-2T, 1,8 В | 5-5-5-18-2T, 1,8 В | 5-5-5-15-2T, 2,3 В | 5-5-5-18-2T, 2,3 В | 5-5-5-15-2T, 1,8 В | 5-5-5-15-2T, 1,8 В | ||
| Минимальное напряжение при сохранении стабильности, В | (не изучалось) | (не изучалось) | 2,26 В | 2,22 В | (не изучалось) | (не изучалось) | ||
| Средняя ПСП на чтение (МБ/с), 1 ядро | 6082 | 5535 | 6938 | 6354 | 6195 | 5760 | ||
| Средняя ПСП на запись (МБ/с), 1 ядро | 3469 | 3459 | 3960 | 3979 | 3548 | 3588 | ||
| Макс. ПСП на чтение (МБ/с), 1 ядро | 7014 | 6366 | 8000 | 7306 | 7149 | 6619 | ||
| Макс. ПСП на запись (МБ/с), 1 ядро | 4888 | 4953 | 5575 | 5700 | 4965 | 4983 | ||
| Средняя ПСП на чтение (МБ/с), 4 ядра | 10764 | 10715 | 12270 | 12406 | 10960 | 11078 | ||
| Средняя ПСП на запись (МБ/с), 4 ядра | 3506 | 4965 | 4000 | 5730 | 3550 | 5104 | ||
| Макс. ПСП на чтение (w/PF, МБ/с), 4 ядра | 11047 | 10749 | 12594 | 12454 | 11238 | 11105 | ||
| Макс. ПСП на запись (NT, МБ/с), 4 ядра | 6288 | 5604 | 7168 | 7228 | 6315 | 6315 | ||
| Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс | 36,4 | 38,8 | 32,0 | 33,9 | 35,7 | 37,0 | ||
| Минимальная латентность случайного доступа*, нс | 90,1 | 93,3 | 79,0 | 81,1 | 88,2 | 89,5 | ||
*размер блока 32 МБ
Для сравнения использовался комплект модулей меньшего объема (2 x 2048 МБ) от Apacer, как видите, отличие в производительности на равной частоте (DDR2-800) имеются, но минимальны. Внимательно приглядевшись, можно обнаружить разве что большее проседание скорости записи в режиме unganged у модулей от Qimonda.
Хотя сами модули явно не адресованы любителям разгона, то есть не имеют радиаторов и рекомендованных режимов работы с повышенными частотами и напряжением, разгон оказался возможен. И даже с лихвой может компенсировать разницу в производительности по сравнению с модулями меньшего объема (но, само собою, работающих на стандартной частоте).
Любопытно, что в режиме unganged в разгоне установлена стабильная работа на более высокой частоте, при этом удалось снизить напряжение с 2,3 В (которое считается негласным максимумом, длительная работа на более высоком напряжении может сократить срок службы модулей) до 2,2 В. Итоги
Модули памяти DDR2 объемом 4 ГБ (для получения двухканальной конфигурации объемом 8 ГБ) уже давно не являются экзотикой, да и цены имеют не заоблачные. И хотя наиболее распространенными в этой категории остаются модули с поддержкой ECC, рассчитанные на сегмент рабочих станций, нет никаких преград, при желании, получить такой объем и в обычном настольном компьютере. Во всяком случае, производительность и стабильность рассмотренных модулей от Qimonda оказались на высоте, так что этими параметрами пользователю жертвовать не придется.
Средняя текущая цена (количество предложений) в московской рознице:
| Модули памяти Qimonda DDR2-800 4 ГБ (HYS64T512020EU-25F-A) | Н/Д(0) |
